Uni Junction
Transistor (UJT)
Uni Junction Transistor (UJT) atau
dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan Transistor Sambungan Tunggal
adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor, UJT
memiliki tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan. Pada umumnya UJT
digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat Pulsa. Seperti
namanya, Uni Junction Transistor atau UJT juga digolongkan sebagai salah satu
anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda dengan Transistor Bipolar pada
umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini tidak memiliki Terminal/Elektroda
Kolektor. UJT yang memiliki Tiga Terminal ini terdiri dari 1 Terminal
Emitor (E) dan 2 Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT
ini sering disebut juga dengan Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).
Struktur Dasar Uni Junction
Transistor (UJT)
Struktur dasar Uni Junction
Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar dibawah ini. Pada dasarnya UJT
terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang didoping ringan
dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi
(berat) di satu sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N
Junction). Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT
yaitu Uni Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N,
terdapat dua kontak Ohmik yang membentuk terminal B1 (Basis 1) dan (Basis 2).
Daerah Semikonduktor yang bertipe P menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT
tersebut.
Berikut ini adalah Bentuk dan
Struktur dasar serta Simbol Uni Junction Transistor (Transistor Sambungan
Tunggal).
Cara Kerja Uni Junction Transistor
(UJT)
Saat Tegangan diantara Emitor (E)
dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak menghantarkan arus listrik,
Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai penghambat (memiliki
resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang mengalir karena
bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan
Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap, resistansi diantara Emitor dan Basis 1
akan berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan berkurang. Ketika
Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus listrik di Emitor akan
mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di doping
berat bertipe P mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung
kembali dengan Elektron yang di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di
doping ringan). Dengan demikian Uni Junction Transistor atau UJT ini kemudian
mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1.
Aplikasi Uni Junction Transistor
(UJT)
Pada umumnya Uni Junction Transistor
atau UJT ini digunakan pada beberapa aplikasi rangkaian elektronika seperti
berikut ini :
- Osilator Relaksasi (Relaxation Oscillator).
- Rangkaian Saklar Elektronik.
- Sensor Magnetik flux.
- Rangkaian Pembatas Tegangan dan Arus listrik.
- Osilator Bistabil (Bistable oscillators).
- Rangkaian Regulator Tegangan dan Arus Listrik.
- Rangkaian Pengendali Fase (Phase control circuits).
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
BJT (Bipolar Junction
Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor terdoping yang dipisahkan
oleh dua sambungan pn. Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT
sebagai emitter, base dan kolektor (Gambar 1). Daerah base merupakan
semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan
emitter (doping paling banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping
sedang). Karena strukturnya fisiknya yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT.
Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan
tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp).
Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai
sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn
yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan
base-kolektor (base-collector junction).
Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction
Transistor (BJT)
Gambar 2 menunjukkan simbol
skematik untuk bipolar junction transistor tipe npn dan pnp. Istilah bipolar
digunakan karena adanya elektron dan hole sebagai muatan pembawa (carriers)
didalam struktur transistor.
Gambar 2. Simbol BJT tipe NPN dan PNP
Prinsip Kerja Bipolar
Junction Transistor (BJT)
Gambar 3 menunjukkan rangkaian
kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai
amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased)
sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased).
Gambar 3. Forward-Reverse Bias pada
BJT
Sebagai gambaran dan ilustrasi
kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn (gambar 4). Ketika base
dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan
negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi
tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk
melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan
mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device
dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah
tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar
daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh
elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai
kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun
sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari
emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base berdoping sedikit,
elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi ke
dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu
positif (reverse bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah
depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke base akan terpampat pada
daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas (ion
positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya
tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik
kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.
Gambar 4. Prinsip Kerja NPN BJT
Sumber :